パワードライブモジュール - Mornsun America, LLC - 電子部品販売業者 - ページ 2

ブランドメーカー

CUI Inc.

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Tamura

Microchip Technology

TE Connectivity Corcom Filters

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Omron Automation and Safety

IXYS

Toshiba Semiconductor and Storage

Phoenix Contact

Microsemi Corporation

Infineon Technologies

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Thomas Research Products

GeneSiC Semiconductor

Sanken Electric USA Inc.

Digilent, Inc.

Trinamic Motion Control GmbH

XP Power

Laird Thermal Systems, Inc.

Samsung Semiconductor, Inc.

Adafruit Industries LLC

Seeed Technology Co., Ltd

Rochester Electronics, LLC

Powertip Technology Inc.

Mornsun America, LLC

Nippon Pulse America, Inc.

Amphenol Tuchel Industrial

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

International Rectifier

Sanyo

特色ある製品

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モデル番号	ブランドメーカー	説明	在庫	数量	包装する	状態	詳細
KC24RT-700	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 25.2W 3	1391	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24W-300X2	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 3.336V	6772	引き合い	Tray	Obsolete	詳細
KC24H-700	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 22.4W 2	3647	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24W-300	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 3.336V	7712	引き合い	Tray	Obsolete	詳細
KC24W-300X1	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 3.336V	9716	引き合い	Tray	Obsolete	詳細
KC24RT-350	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 12.6W 3	9290	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24H-700RX1	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 25.2W 3	8835	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24H-700RX3	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 25.2W 3	4292	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24RT-300	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 10.8W 3	1236	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24RT-500	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 18W 3.3	2665	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24H-700R	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 25.2W 3	1136	引き合い	Tube	Obsolete	詳細
KC24H-700RX2	Mornsun America, LLC	DC DC CONVERTER 1 OUTPUT 25.2W 3	4039	引き合い	Tube	Obsolete	詳細

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パワードライブモジュール

パワードライブモジュールはパワー素子に物理的な密閉を提供し、通常はハーフブリッジまたは単相、二相または三相構成のIGBTsとMOSFETsである。パワー半導体またはダイは、パワー半導体を搭載した基板に溶接または焼結され、必要な場所で電気的、熱的接触、電気的絶縁が行われます。電源モジュールはより高い電力密度を提供し、多くの場合、より信頼性が高く、冷却しやすい。