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IGBTs（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、3端子の多層半導体デバイスで、高電流に対応でき、高速スイッチング特性を有する。 これらの特徴は、タイプ、コレクタ-エミッタ間耐圧、コレクタ電流、パルスコレクタ電流、VCE（オン）、スイッチングエネルギー、ゲート電荷である。
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