| 類型 | 説明 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | 電界効果トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ |
| ブランドメーカー | Renesas Electronics Corporation |
| シリーズ | - |
| 製品ステータス | Obsolete |
| 包装する | ほとんど |
| 包装/箱 | 4-XFLGA, CSP |
| インストールタイプ | ひょうめんとりつけ |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 3.6W (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.1A (Ta) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1125pF @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 3A, 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| ベンダーデバイスパック | 4-WLCSP (1.82x1.82) |
| 属性＃ゾクセイ＃ | 説明 |
|---|---|
| RoHS状態 | ROHS3 Compliant |
| しつどかんど (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH状態 | Reach unknown |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
