類型 | 説明 |
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製品カテゴリ | 電界効果トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ |
ブランドメーカー | Infineon Technologies |
シリーズ | - |
製品ステータス | Obsolete |
包装する | ディスク |
包装/箱 | Module |
インストールタイプ | Chassis Mount |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | Silicon Carbide (SiC) |
Power - Max | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
ベンダーデバイスパック | AG-EASY1BM-2 |
属性#ゾクセイ# | 説明 |
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RoHS状態 | unknown |
しつどかんど (MSL) | Not Applicable |
REACH状態 | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |