| 類型 | 説明 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | 電界効果トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ |
| ブランドメーカー | Infineon Technologies |
| シリーズ | - |
| 製品ステータス | Obsolete |
| 包装する | ディスク |
| 包装/箱 | Module |
| インストールタイプ | Chassis Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
| ベンダーデバイスパック | AG-EASY1BM-2 |
| 属性＃ゾクセイ＃ | 説明 |
|---|---|
| RoHS状態 | unknown |
| しつどかんど (MSL) | Not Applicable |
| REACH状態 | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
