| 類型 | 説明 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | 電界効果トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ |
| ブランドメーカー | GE Aerospace |
| シリーズ | SiC Power |
| 製品ステータス | せわしい |
| 包装する | ほとんど |
| 包装/箱 | Module |
| インストールタイプ | Chassis Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (Tc) |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | 2350W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 765A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 58000pF @ 900V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.23mOhm @ 765A, 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2414nC @ 18V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
| ベンダーデバイスパック | Module |
| 属性＃ゾクセイ＃ | 説明 |
|---|---|
| RoHS状態 | RoHS non-compliant |
| しつどかんど (MSL) | Not Applicable |
| REACH状態 | Reach affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
