類型 | 説明 |
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製品カテゴリ | 電界効果トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ |
ブランドメーカー | Diodes Incorporated |
シリーズ | - |
製品ステータス | Obsolete |
包装する | テープとリール (TR) |
包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
インストールタイプ | ひょうめんとりつけ |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 1.19W |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A, 6A |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1276pF @ 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 9.5A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.6nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
ベンダーデバイスパック | 8-SO |
属性#ゾクセイ# | 説明 |
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RoHS状態 | ROHS3 Compliant |
しつどかんど (MSL) | 1 (Unlimited) |
REACH状態 | Reach unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |