| 類型 | 説明 |
|---|---|
| 製品カテゴリ | 電界効果トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ |
| ブランドメーカー | Diodes Incorporated |
| シリーズ | - |
| 製品ステータス | Obsolete |
| 包装する | テープとリール (TR) |
| 包装/箱 | 8-PowerLDFN |
| インストールタイプ | ひょうめんとりつけ |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2.2W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA |
| ベンダーデバイスパック | PowerDI3333-8 (Type D) |
| 属性＃ゾクセイ＃ | 説明 |
|---|---|
| RoHS状態 | ROHS3 Compliant |
| しつどかんど (MSL) | 1 (Unlimited) |
| REACH状態 | Reach unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
